Эта публикация цитируется в 1 статье

Диэлектрики

Электропроводность и структурная обусловленность ионного переноса в кристаллах лангасита La$_3$Ga$_5$SiO$_{14}$:Mn

Н. И. Сорокин, Т. Г. Головина, А. Ф. Константинова

Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова ФНИЦ "Кристаллография и фотоника" РАН, Москва, Россия

Аннотация: Методом импедансной спектроскопии изучена температурная зависимость статической электропроводности $\sigma_{dc}(T)$ монокристалла лантан-галиевого силиката (лангасита) La$_3$Ga$_5$SiO$_{14}$, активированного примесью Mn (1000 ppm). Импедансные измерения La$_3$Ga$_5$SiO$_{14}$ (пр. гр. $P321$, $Z = 1$) выполнены вдоль кристаллографических осей $a$ (двойной оси симметрии) и $c$ (тройной оси симметрии). Обнаружено, что значения $\sigma_{\parallel a}$ существенно выше электропроводности $\sigma_{\parallel c}$, анизотропия электропроводности $\sigma_{\parallel a}/\sigma_{\parallel c}$ = 170 при 773 K. Энергия активации электропереноса равна $E_{\sigma}$ = 0.75 $\pm$ 0.05 и 1.09 $\pm$ 0.02 eV вдоль оси $a$ и $c$ соответственно. Механизм электропроводности имеет ионную природу и примесный характер; вакансии кислорода $V_{\mathrm{O}}^{\bullet\bullet}$ являются наиболее вероятными носителями тока.

Ключевые слова: лантан-галлиевый силикат, семейство лангасита, монокристалл, электропроводность, анизотропия.

Поступила в редакцию: 20.07.2022
Исправленный вариант: 20.07.2022
Принята в печать: 26.07.2022

DOI: 10.21883/FTT.2022.12.53643.446

Реферативные базы данных:

•