Аннотация:
Приведены результаты исследования незаполненных электронных состояний ультратонких пленок молекул фенолфталеина на поверхности ZnO, приготовленной методом молекулярного наслаивания (atomic layer deposition). Проведена диагностика атомного состава слоя ZnO методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии (XPS) и структуры дифракции методом рентгеновских лучей (X-ray diffraction). Обнаружено преобладание содержания атомов О на 5–10%, по сравнению с содержанием атомов Zn. Исследования электронных характеристик структуры ZnO/фенолфталеин проводили методом спектроскопии полного тока (TCS) в энергетическом диапазоне от 5 до 20 eV выше $E_{\mathrm{F}}$ в процессе термического вакуумного осаждения пленок фенолфталеина толщиной до 8 nm. Структурной особенностью молекул фенолфталеина является наличие двух гидроксильных функциональных групп. Проведено сравнение TCS-результатов с TCS-результатами, полученными для пленок молекул, представляющих собой остов молекул фенолфталеина без гидроксильных групп. Максимумы тонкой структуры TCS пленок фенолфталеина, расположенные в энергетическом диапазоне от 5 до 8 eV выше $E_{\mathrm{F}}$ можно связать с границами зон $\pi^*$ электронных состояний. Значения работы выхода поверхности ZnO, сформированной методом ALD, составили 4.2 $\pm$ 0.1 eV. Осаждение пленки фенолфталеина привело к снижению работы выхода поверхности на 0.1 eV.
Полный текст:
PDF файл (208 kB)