Эта публикация цитируется в 2 статьях

Полупроводники

Влияние эффекта перколяции на резистивные переключения структур на базе нанокомпозита (Co$_{40}$Fe$_{40}$B$_{20}$)$_{x}$(LiNbO$_3$)$_{100-x}$

К. Э. Никируй, А. В. Емельянов, А. Н. Мацукатова, Е. В. Кукуева, А. Л. Васильев, А. В. Ситников, В. А. Демин, В. В. Рыльков

Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", г. Москва

Аннотация: Выполнены сравнительные исследования эффекта резистивного переключения (РП) структур металл/нанокомпозит/металл (М/НК/М), металл/нанокомпозит/LiNbO$_3$/металл (М/НК/LNO/М) на основе НК (Co$_{40}$Fe$_{40}$B$_{20}$)$_{x}$(LiNbO$_3$)$_{100-x}$ ($x$ = 6–20 at.%) с наногранулами CoFe размером 2–4 nm, а также структур без слоя НК (М/LNO/М). Обнаружено, что ключевую роль в эффекте РП играет перколяционная проводимость НК и наличие тонкой прослойки LNO. При приближении содержания металла к порогу перколяции структур М/НК/М ($x_p\approx$ 10 at.%), в структурах со встроенным слоем LNO образуются низкоомные перколяционные наноканалы из гранул, обеспечивающие их стабильные РП, которые, однако, заметно подавляются при уменьшении $x$ относительно $x_p$ на величину $\Delta x\approx$ 1–2 at.%.

Ключевые слова: резистивные переключения, мемристор, нанокомпозит, перколяция.

Поступила в редакцию: 20.06.2022
Исправленный вариант: 20.06.2022
Принята в печать: 22.06.2022

DOI: 10.21883/FTT.2022.11.53321.410

Реферативные базы данных:

•