Полупроводники

Эффект интерфейсного легирования системы наностержней оксида цинка

А. А. Рябко^a, Д. С. Мазинг^b, А. А. Бобков^b, А. И. Максимов^b, В. С. Левицкий^a, Э. Ф. Лазнева^c, А. С. Комолов^c, В. А. Мошников^b, Е. И. Теруков<sup>a

a</sup> Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
^b Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
^c Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Обнаружен эффект возрастания электропроводности системы наностержней оксида цинка ZnO в 10$^5$ раз при атомно-слоевом осаждении тонкого диэлектрического слоя оксида алюминия Al$_2$O$_3$. Показано, что изменение электропроводности ZnO при атомно-слоевом осаждении Al$_2$O$_3$ на поверхность наблюдается также в случае ZnO в виде тонких поликристаллических слоев. Представлено исследование поликристаллических слоев ZnO с покрытием из Al$_2$O$_3$ с помощью ультрафиолетовой и рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии. На основе результатов фотоэлектронной спектроскопии предложены два основных фактора изменения электропроводности, заключающиеся в образовании двумерного электронного газа на интерфейсе ZnO|Al$_2$O$_3$ и легировании приповерхностной области ZnO атомами алюминия.

Ключевые слова: наностержни, оксид цинка, оксид алюминия, атомно-слоевое осаждение, прозрачные электроды, рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия, ультрафиолетовая фотоэлектронная спектроскопия.

Поступила в редакцию: 16.06.2022
Исправленный вариант: 16.06.2022
Принята в печать: 18.06.2022

DOI: 10.21883/FTT.2022.11.53320.408

Реферативные базы данных:

•