Полупроводники

Триэкситоны и их влияние на поглощение в экситонной области спектра

Л. Ю. Надькин, О. В. Коровай, Д. А. Марков

Приднестровский государственный университет им. Т. Г. Шевченко, Тирасполь, Молдова

Аннотация: Изучено влияние триэкситонного состояния на поглощение экситон-поляритонов в условиях, когда на среду падают два мощных импульса лазерного излучения, взаимодействующие с биэкситонами и триэкситонами и пробный импульс на частоте экситонного перехода. Показано, что даже при незначительных энергиях связи триэкситона под действием двух мощных импульсов происходит расщепление экситонного состояния на три квазиуровня, наблюдается эффект Аутлера–Таунса (оптический Штарк-эффект). Оказалось, что положение квазиуровней зависит от расстроек резонанса импульсов накачек и их интенсивностей, что позволяет их идентифицировать. Данные обстоятельства позволяют с большей степенью вероятности диагностировать триэкситонное состояние в полупроводниках не при изучении спектральной линии поглощения биэкситон-триэкситонного перехода, а по влиянию триэкситонного состояния на поглощение в области экситонного перехода.

Ключевые слова: экситоны, биэкситоны, триэкситоны, эффект Аутлера–Таунса.

Поступила в редакцию: 09.06.2022
Исправленный вариант: 15.06.2022
Принята в печать: 24.06.2022

DOI: 10.21883/FTT.2022.11.53319.403

Реферативные базы данных:

•