Полупроводники

Энергия относительного движения электрона и дырки в экситоне во внешнем электрическом поле в пластине GaAs

Д. К. Логинов^a, А. В. Донец<sup>b

a</sup> Лаборатория Оптики спина имени И.Н. Уральцева, Санкт-Петербургский государственный университет, Петергоф, Россия
^b Санкт-Петербургский государственный университет, Петергоф, Россия

Аннотация: Теоретически рассчитана зависимость энергии относительного движения электрона и дырки в экситоне от величины приложенного электрического поля для различных толщин идеальной плоской полупроводниковой пластины. Показано, что вариация толщины пластины существенно влияет на зависимость этой энергии от электрического поля. Эффект должен наблюдаться в пластинах, толщина которых на два десятичных порядка превосходит боровский радиус экситона.

Ключевые слова: экситон, электрическое поле, полупроводниковые пластины.

Поступила в редакцию: 02.05.2022
Исправленный вариант: 24.06.2022
Принята в печать: 02.07.2022

DOI: 10.21883/FTT.2022.11.53317.303

Реферативные базы данных:

•