Полупроводники

Диффузия фосфора и галлия из напыленного слоя фосфида галлия в кремний

Н. Ф. Зикриллаев^a, С. В. Ковешников^a, Х. С. Турекеев^a, Н. Норкулов^b, С. А. Тачилин<sup>a

a</sup> Ташкентский государственный технический университет, Ташкент, Узбекистан
^b Национальный университет Узбекистана, Ташкент, Узбекистан

Аннотация: Исследовалась диффузия из слоя фосфида галлия GaP, напыленного на поверхность кремния. После диффузии образцы кремния исследовались методом Ван-дер-Пау и с помощью сканирующего электронного микроскопа, с целью определения концентрационного распределения примесных атомов фосфора и галлия.

Ключевые слова: диффузия, фосфид галлия, кремний, растворимость, концентрация, бинарные комплексы.

Поступила в редакцию: 27.04.2022
Исправленный вариант: 04.07.2022
Принята в печать: 04.07.2022

DOI: 10.21883/FTT.2022.11.53316.367

Реферативные базы данных:

•