XXVI Международный симпозиум "Нанофизика и наноэлектроника" , Н. Новгород, 14 - 17 марта 2022 г.
Сверхпроводимость

Технология изготовления высококачественных туннельных переходов на основе Nb|Al-AlN|NbN

А. М. Чекушкин, Л. В. Филиппенко, М. Ю. Фоминский, В. П. Кошелец

Институт радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова РАН, Москва, Россия

Аннотация: Представлено описание технологии изготовления туннельных переходов сверхпроводник-изолятор-сверхпроводник (СИС) высокого качества с предельными характеристиками: значение энергетической щели $V_g$ = 3.2–3.4 mV, плотность туннельного тока $J$ до 35 kA/cm$^2$, параметр качества $R_j/R_n$ (отношение подщелевого сопротивления к сопротивлению в нормальном состоянии) до 30, площади переходов до 1 $\mu$m$^2$. СИС-переходы включены в микрополосковую линию NbTiN|SiO$_2$|Al.

Ключевые слова: cверхпроводниковые устройства, туннельный переход сверхпроводник-изолятор-сверхпроводник, плазмохимическое травление.

Поступила в редакцию: 29.04.2022
Исправленный вариант: 29.04.2022
Принята в печать: 12.05.2022

DOI: 10.21883/FTT.2022.10.53080.49HH

Реферативные базы данных:

•