Аннотация:
Впервые изготовлены двухслойные логические элементы “НЕ”, “И”, “ИЛИ” и “ИЛИ-НЕ”, в которых нагревающий элемент нанопровода в одном слое находится в месте, где находится нагреваемый элемент другого нанопровода в соседнем слое. Для изготовления сверхпроводящих нанопроводов был использован NbN (5–7 nm), а в качестве межслоевого диэлектрика применялся Al$_2$O$_3$ (25 nm). В работе показано устройство логических элементов, а также продемонстрирована их работа в импульсном режиме. Применение многослойных структур без гальванической связи между нанопроводами позволяет производить проектирование многоуровневых логических устройств.
Ключевые слова:
тонкие сверхпроводящие пленки NbN, бесконтактное переключение состояния сверхпроводника, криоэлектронные устройства, интегрированные криогенные резисторы, логические элементы "НЕ"/"И"/"ИЛИ"/"ИЛИ-НЕ", криогенные компьютеры.
Поступила в редакцию: 29.04.2022 Исправленный вариант: 29.04.2022 Принята в печать: 12.05.2022