XXVI Международный симпозиум "Нанофизика и наноэлектроника" , Н. Новгород, 14 - 17 марта 2022 г.
Сверхпроводимость

Определение параметров СИС-смесителя на промежуточной частоте

Я. О. Водзяновский^ab, А. В. Худченко^ac, В. П. Кошелец<sup>ac

a</sup> Институт радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова РАН, Москва, Россия
^b Московский физико-технический институт (национальный исследовательский университет), Долгопрудный, Россия
^c Астрокосмический центр Физического института им. П. Н. Лебедева РАН, Москва, Россия

Аннотация: Проведено сравнение теоретического и экспериментального уровня отражения сигнала на промежуточной частоте от СИС-смесителя, когда тот находится в рабочем состоянии, а именно при поданном напряжении смещения и при приложенном сигнале высокочастотного опорного генератора. Показано, что коэффициент отражения по мощности может варьироваться от -20 до -3 dB в зависимости от рабочей точки. Предложен и апробирован экспериментальный метод определения импеданса подводящей линии СИС-смесителя.

Ключевые слова: туннельный переход сверхпроводник-изолятор-сверхпроводник, промежуточная частота, субмиллиметровый СИС-смеситель.

Поступила в редакцию: 29.04.2022
Исправленный вариант: 29.04.2022
Принята в печать: 12.05.2022

DOI: 10.21883/FTT.2022.10.53078.42HH

Реферативные базы данных:

•