XXVI Международный симпозиум "Нанофизика и наноэлектроника" , Н. Новгород, 14 - 17 марта 2022 г.
Магнетизм

Генерация магнитоиндуцированной второй гармоники в тонких пленках с интерфейсами ферромагнетик/антиферромагнетик

В. В. Радовская^a, А. И. Майдыковский^a, В. Б. Новиков^a, Д. А. Копылов^a, Н. С. Гусев^bc, И. Ю. Пашенькин^b, Т. В. Мурзина<sup>a

a</sup> Московский государственный университет имени М. В. Ломоносова, Москва, Россия
^b Институт физики микроструктур РАН, Нижний Новгород, Россия
^c Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия

Аннотация: Экспериментально исследована генерация оптической второй гармоники (ВГ) и магнитооптических эффектов на частоте ВГ в тонких пленках, состоящих из ферромагнитных и антиферромагнитных материалов, в том числе обменно-связанных слоев, один из которых пиннингован слоем антиферромагнетика. Эффект обменного взаимодействия в таких структурах проявляется в смещении петель гистерезиса в линейном магнитооптическом эффекте Керра относительно нулевого значения магнитного поля. Показано, что в случае нелинейного магнитооптического эффекта Керра в отклике второй гармоники (ВГ) этот эффект также проявляется, однако в значительно меньшей степени, чем в линейном случае. Зависимости интенсивности ВГ от магнитного поля демонстрируют одну петлю магнитного гистерезиса, слабо смещенную относительно нуля магнитного поля, величина этого смещения возрастает при уменьшении мощности лазерного излучения накачки.

Ключевые слова: магнитоиндуцированная вторая гармоника, интерфейс ферромагнитный/антиферромагнитный металл, пиннингованная структура, тонкие пленки.

Поступила в редакцию: 29.04.2022
Исправленный вариант: 29.04.2022
Принята в печать: 12.05.2022

DOI: 10.21883/FTT.2022.09.52832.48HH

Реферативные базы данных:

•