Аннотация:
Проведено моделирование распределения температур в функциональном наноэлементе из NbN со встроенной областью нормального металла. Функциональный элемент представляет собой два нанопровода из NbN толщиной 4 nm, расположенных на подложке из монокристаллического Al$_2$O$_3$. Провода разделены слоем диэлектрика толщиной 10 nm. В нижний нанопровод с помощью технологии СЗА, встроена область нормального металла. Дана приблизительная оценка быстродействия функциональных наноструктур, для создания которых используется подобный поход.