Аннотация:
Рассмотрены вопросы проектирования джозефсоновского параметрического усилителя бегущей волны (ДПУБВ) на базе хорошо отработанной технологии сверхпроводниковых микросхем с заданными и контролируемыми параметрами на основе высококачественных туннельных переходов Nb–AlO$_x$–Nb. Данная технология была адаптирована для получения структур с необходимыми параметрами и большим количеством переходов в одной структуре. Для отработки и оптимизации технологии разработаны, изготовлены и исследованы базовые элементы перспективного джозефсоновского параметрического усилителя. В измерениях на постоянном токе экспериментально определен ряд параметров, необходимых для проектирования микросхемы ДПУБВ, предназначенной для СВЧ-измерений. Разработан оригинальный дизайн ДПУБВ на основе цепочки СКВИДов в копланарной линии для реализации по ниобиевой технологии ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН; определены параметры основных элементов ДПУБВ.