Эта публикация цитируется в 1 статье

XXVI Международный симпозиум "Нанофизика и наноэлектроника" , Н. Новгород, 14 - 17 марта 2022 г.
Сверхпроводимость

Исследование структуры и электрических свойств нанокомпозитных пленок W$_x$Si$_{1-x}$

С. Ю. Хыдырова^a, И. В. Михайлова^a, Д. Д. Васильев^a, К. М. Моисеев^a, К. А. Барков^b, С. А. Ивков^b, Н. С. Буйлов^b, Е. С. Керсновский<sup>b

a</sup> Московский государственный технический университет имени Н. Э. Баумана, Москва, Россия
^b Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия

Аннотация: Проведено экспериментальное исследование структуры и фазового состава методами рентгеновской, рамановской и ультрамягкой рентгеновской эмиссионной спектроскопии, а также исследование электрических свойств пленок W$_x$Si$_{1-x}$, использующихся в качестве чувствительных элементов сверхпроводниковых однофотонных детекторов (SNSPD), в зависимости от толщины в диапазоне от 7 до 80 nm, по результатам которого обнаружено, что фаза W$_3$Si предположительно формируется в пленках толщиной 20 и 40 nm с удельным сопротивлением 8.4 $\cdot$ 10$^{-5}$ и 6.0 $\cdot$ 10$^{-5}$ $\Omega$ $\cdot$ cm соответственно, содержащих фазы WSi$_2$, W$_5$Si$_3$ и SiO$_2$, а также WO$_x$ и небольшую долю $\beta$-W. Пленки толщиной 7 nm имеют наибольшее удельное сопротивление 18.0 $\cdot$10$^{-5}$ $\Omega$ $\cdot$ cm и содержат нанокристаллы, WSi$_2$, SiO$_2$, а также $\beta$-W и фазу аморфного кремния. В пленках толщиной 80 nm (удельное сопротивление также 18.0 $\cdot$ 10$^{-5}$ $\Omega$ $\cdot$ cm) преимущественно содержится WSi$_2$, а также W$_5$Si$_3$ и SiO$_2$ и, предположительно, фаза W$_3$Si.

Ключевые слова: сверхпроводниковый однофотонный детектор, фазовый состав, рентгеноаморфная структура, сверхпроводящие пленки WSi, спектроскопия.

Поступила в редакцию: 29.04.2022
Исправленный вариант: 29.04.2022
Принята в печать: 12.05.2022

DOI: 10.21883/FTT.2022.09.52802.08HH

Реферативные базы данных:

•