XXVI Международный симпозиум "Нанофизика и наноэлектроника" , Н. Новгород, 14 - 17 марта 2022 г.
Сверхпроводимость

Особенности эпитаксиального роста YBCO в окнах задающей маски

Д. В. Мастеров, С. А. Павлов, А. Е. Парафин

Институт физики микроструктур РАН, ФИЦ "Институт прикладной физики Российской академии наук", Нижний Новгород, Россия

Аннотация: Посвящена исследованию морфологии и электрофизических характеристик эпитаксиальных пленок YBCO, полученных методом лазерного распыления, при осаждении YBCO в окна задающей маски (ЗМ). Совершенствованию морфологии пленки YBCO посвящено большое количество работ, где снижение плотности и размеров дефектов в пленках YBCO осуществляется, за счет снижения температуры роста, но при этом одновременно ухудшаются и электрофизические параметры пленок. Кардинальное отличие нашего подхода, а именно, использование предложенного нами метода задающей маски, заключается в том, что мы осаждаем YBCO на подложку с заранее сформированной маской, задающей топологию структуры. Нами показано, что морфология пленки YBCO вблизи границы с ЗМ может радикально отличаться от морфологии пленки YBCO в широких областях вдали от границы ЗМ. При этом в режиме роста, оптимальном по электрофизическим характеристикам, пленка YBCO в узких протяженных окнах ЗМ обладает совершенной (“very smooth”) поверхностью, тогда как плотность дефектов на участках пленки вдали от границы пленка – ЗМ составляет величину более 10$^7$ cm$^{-2}$. Наблюдаемый эффект открывает возможность формирования YBCO-структур с бездефектными областями в нужных местах подложки, и затем воспроизводимого формирования в этих областях критических элементов схемы субмикронного масштаба.

Ключевые слова: нано- и микроструктуры, дефекты, рост в локальных областях, YBCO.

Поступила в редакцию: 29.04.2022
Исправленный вариант: 29.04.2022
Принята в печать: 12.05.2022

DOI: 10.21883/FTT.2022.09.52801.07HH

Реферативные базы данных:

•