Полупроводники

Исследование влияния ультрамалого потока мышьяка на процессы формирования наноструктур In(As)/GaAs методом капельной эпитаксии

С. В. Балакирев, Д. В. Кириченко, Н. Е. Черненко, Н. А. Шандыба, М. М. Ерёменко, М. С. Солодовник

Южный федеральный университет, Институт нанотехнологий, электроники и приборостроения, Таганрог, Россия

Аннотация: Представлены результаты исследования влияния давления мышьяка в диапазоне ультрамалых значений (10$^{-7}$–10$^{-6}$ Pa) на процессы модификации капель In/GaAs(001) с различным исходным размером, сформированных методом капельной эпитаксии. Экспериментально показано, что экспозиция капель в ультрамалом потоке мышьяка позволяет достичь снижения размера капель до субкритических размеров с сохранением первоначально заданной поверхностной плотности. При этом экспозиция капельных наноструктур в потоке мышьяка может сопровождаться либо только уменьшением их размера, что более характерно для капель, полученных при больших толщинах осаждения индия, либо также формированием колец по периметру исходных капель и углублений внутри колец, что более характерно для капель с меньшим исходным размером. Выявлено, что зависимость относительного объема капель, подверженных диффузионному распаду, от потока мышьяка с уменьшением их исходного размера становится все более существенной.

Ключевые слова: капельная эпитаксия, наноструктуры, In(As)/GaAs, поток мышьяка.

Поступила в редакцию: 12.04.2022
Исправленный вариант: 12.04.2022
Принята в печать: 19.04.2022

DOI: 10.21883/FTT.2022.08.52688.345

Реферативные базы данных:

•