Полупроводники

Упругость 3D- и 2D-соединений XC (X = Si, Ge, Sn): модели Китинга и Харрисона

С. Ю. Давыдов

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Для объемных и монослойных карбидов элементов IV группы в рамках моделей Китинга и/или Харрисона получены аналитические выражения: для упругих постоянных второго порядка $c_{ij}$; скоростей звука $v$; упругих постоянных третьего порядка $c_{ijk}$; зависимостей $c_{ij}$ и $v$ от давления; постоянной Грюнайзена; коэффициента теплового расширения и зависимости модуля сжатия от температуры. Показано, что в ряду SiC–GeC–SnC величины всех рассмотренных характеристик убывают, а коэффициент теплового расширения растет. Полученные модельные оценки сопоставлены с данными эксперимента и результатами численных расчетов других авторов.

Ключевые слова: силовые константы, упругие постоянные, скорости звука, ангармонические характеристики.

Поступила в редакцию: 28.02.2022
Исправленный вариант: 28.02.2022
Принята в печать: 01.03.2022

DOI: 10.21883/FTT.2022.06.52387.300

Реферативные базы данных:

•