Полупроводники

Исследование особенностей эпитаксиального роста GaAs на подложках Si, модифицированных фокусированными ионными пучками

С. В. Балакирев^a, М. М. Ерёменко^a, Е. А. Лахина^a, Д. В. Кириченко^a, Н. А. Шандыба^a, Н. Е. Черненко^a, О. А. Агеев^ab, М. С. Солодовник<sup>a

a</sup> Южный федеральный университет, Институт нанотехнологий, электроники и приборостроения, Таганрог, Россия
^b Южный федеральный университет, Институт нанотехнологий, электроники и приборостроения, научно-образовательный центр "Нанотехнологии", Таганрог, Россия

Аннотация: Представлены результаты исследования влияния режимов модификации фокусированными ионными пучками локальных участков подложки Si на закономерности последующего роста слоев GaAs методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Установлено, что отжиг в отсутствие потока мышьяка образцов, подверженных воздействию ионного облучения при различных ускоряющих напряжениях и различном числе проходов ионного пучка, приводит к увеличению глубины модифицированных участков подложки Si. В то же время кристаллизация галлиевых скоплений при отжиге в потоке мышьяка приводит к заполнению углублений, сформированных в ходе ионной бомбардировки. Установлено, что рост GaAs на подложках с участками, модифицированными при ускоряющем напряжении 30 kV и подверженными последующему отжигу в потоке мышьяка при температуре 600$^\circ$C сопровождается формированием нитевидных нанокристаллов, плотность которых возрастает на участках с большим числом проходов ионного пучка. Результаты проведенных исследований могут быть использованы при разработке технологических подходов к формированию эпитаксиальных слоев GaAs на подложках Si.

Ключевые слова: молекулярно-лучевая эпитаксия, GaAs, Si, фокусированные ионные пучки, монолитная интеграция.

Поступила в редакцию: 18.01.2022
Исправленный вариант: 18.01.2022
Принята в печать: 21.01.2022

DOI: 10.21883/FTT.2022.06.52385.278

Реферативные базы данных:

•