Эта публикация цитируется в 1 статье

Полупроводники

Структура и свойства композитов на основе нитридов алюминия и галлия, выращенных на кремнии разной ориентации с буферным слоем карбида кремния

Ш. Ш. Шарофидинов^ab, С. А. Кукушкин^b, М. В. Старицын^c, А. В. Солнышкин^d, О. Н. Сергеева^d, Е. Ю. Каптелов^a, И. П. Пронин<sup>a

a</sup> Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
^b Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия
^c НИЦ "Курчатовский институт" – ЦНИИ Конструкционных материалов "Прометей" им. И.В. Горынина, Санкт-Петербург, Россия
^d Тверской государственный университет, Тверь, Россия

Аннотация: Исследованы микроструктура и пироэлектрические свойства композитных эпитаксиальных слоев Al$_x$Ga$_{1-x}$N, выращенных на гибридных подложках SiC/Si(111) и SiC/Si(110) методом хлорид-гидридной эпитаксии. Обнаружено явление самопроизвольного, в процессе роста слоев, образования системы гетеропереходов, состоящих из периодических расположенных перпендикулярно направлению роста слоев Al$_x$Ga$_{1-x}$N различного состава. Измерения пирокоэффициентов этих гетероструктур показали, что вне зависимости от ориентации исходной подожки Si их пирокоэффициенты имеют близкие значения порядка $\gamma\sim$ (0.7–1) $\cdot$ 10$^{-10}$ С/cm$^2$K. Показано, что для повышения величины пиротклика необходимо на поверхность Al$_x$Ga$_{1-x}$N/SiC/Si наносить слой AlN, толщиной превышающий 1 $\mu$m. Это приводит к рекордным, для кристаллов и пленок AlN, значениям пирокоэффициента $\gamma\sim$ 18 $\cdot$ 10$^{-10}$ С/cm$^2$K.

Ключевые слова: подложки карбида кремния на кремнии, хлорид-гидридная эпитаксия, эпитаксиальные слои AlGaN, нитрид алюминия, нитрид галлия, пироэлектрические свойства.

Поступила в редакцию: 30.12.2021
Исправленный вариант: 30.12.2021
Принята в печать: 03.01.2021

DOI: 10.21883/FTT.2022.05.52331.250

Реферативные базы данных:

•