Системы низкой размерности

Локализация носителей заряда в квантовых ямах InGaN/GaN, ограниченная объемным зарядом

Н. И. Бочкарева, Ю. Г. Шретер

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Механизм туннелирования носителей заряда через потенциальные стенки квантовой ямы InGaN/GaN в $p$–$n$-структурах исследуется методом туннельной спектроскопии глубоких центров. На зависимостях от прямого смещения интенсивности и спектрального сдвига полосы фотолюминесценции из квантовой ямы обнаруживается ряд горбов при тех же смещениях, что и ряд горбов на зависимостях прямого туннельного тока и фототока, генерируемого оптически инжектированными носителями, туннелирующими из квантовой ямы в барьеры. Эти туннельные эффекты находят объяснение в рамках модели локализации носителей в квантовой яме, связывающей туннельную проницаемость потенциальных стенок квантовой ямы с плотностью объемного заряда глубоких центров окраски в барьерах ямы и ее изменением при оптическом возбуждении и прямом смещении $p$–$n$-структуры.

Ключевые слова: нитрид галлия, квантовая яма, фотолюминесценция, туннельная спектроскопия глубоких центров, примесные центры окраски.

Поступила в редакцию: 12.11.2021
Исправленный вариант: 12.11.2021
Принята в печать: 13.11.2021

DOI: 10.21883/FTT.2022.03.52099.241

Реферативные базы данных:

•