Эта публикация цитируется в 1 статье

Полупроводники

Исследование этапов превращения кремния в карбид кремния в процессе атомного замещения методами полного внешнего отражения рентгеновских лучей и рентгеновской дифрактомерии

С. А. Кукушкин^a, А. В. Осипов^a, Е. В. Осипова^a, В. М. Стожаров<sup>b

a</sup> Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия
^b OOO "Научно-технический центр "Новые технологии", г. Санкт-Петербург

Аннотация: Методами рентгеновской дифракции и полного внешнего отражения рентгеновских лучей (рефлектометрии) исследованы последовательные стадии синтеза эпитаксиальных пленок SiC на поверхностях Si (100), (110) и (111) методом замещения атомов. Изучены данные об эволюции превращения поверхностей (100), (110) и (111) Si, в поверхности SiC. Выполнен сравнительный анализ ренгеноструктурного качества слоев SiC, выращенных на Si методом замещения атомов, с качеством слоев SiC, выращенных фирмой Advanced Epi стандартным CVD-методом. Описывается модифицированная методика метода полного внешнего отражения рентгеновских лучей, основанная на измерениях интенсивности отраженных рентгеновских лучей при помощи специального параболического зеркала. Показано, что метод полного внешнего отражения позволяет получить важную информацию о степени шероховатости поверхности слоев SiC, эволюции их кристаллической структуры и энергии плазмонов в процессе превращения Si в SiC.

Ключевые слова: полное внешнее отражение, рентгеновская рефлектометрия, карбид кремния, плазмоны.

Поступила в редакцию: 03.11.2021
Исправленный вариант: 03.11.2021
Принята в печать: 04.11.2021

DOI: 10.21883/FTT.2022.03.52093.232

Реферативные базы данных:

•