Оптические свойства

Изменение структуры и люминесцентных свойств пленок ZnSe и ZnCdSe при облучении электронным пучком

В. А. Кравец, Е. В. Дементьева, А. А. Ситникова, И. В. Седова, М. В. Заморянская

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Исследовались слои ZnSe и ZnCd$_x$Se ($x\sim$ 0.32–0.35), выращенные на подложках GaAs (001) методом молекулярно-пучковой эпитаксии. Изучалось влияние электронного пучка на изменения кристаллической структуры изучаемых образцов и люминесцентные свойства. Исследования проводились методами катодолюминесценции, просвечивающей электронной микроскопии и методом рентгеноспектрального микроанализа.
Установлено, что в результате облучения образцов в просвечивающем электронном микроскопе происходит отжиг дефектов упаковки, сопровождаемый образованием преципитатов ZnO c гексагональной кристаллической структурой. Облучение образцов в катодолюминесцентной установке приводит к уменьшению интенсивности катодолюминесценции исследуемых слоев ZnSe и ZnCd$_x$Se из-за радиационно-стимулированных процессов деградации.

Ключевые слова: точечные дефекты, облучение электронным пучком, катодолюминесценция, структурные изменения.

Поступила в редакцию: 07.10.2021
Исправленный вариант: 07.10.2021
Принята в печать: 10.10.2021

DOI: 10.21883/FTT.2022.02.51934.219

Реферативные базы данных:

•