Фазовые переходы

Режимы роста пленок нитрида алюминия на гибридных подложках SiC/Si(111)

А. А. Корякин^a, С. А. Кукушкин^b, А. В. Осипов^b, Ш. Ш. Шарофидинов<sup>b

a</sup> Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
^b Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Теоретически проанализирован механизм зарождения пленок нитрида алюминия, выращиваемых методом хлорид-гидридной эпитаксии на гибридных подложках 3C-SiC/Si(111). Определены температурные области и области давлений паров компонентов, в которых реализуются островковый и послойный механизмы роста. Теоретические выводы сравниваются с экспериментальными данными. Методом сканирующей электронной микроскопии изучена морфология пленки нитрида алюминия на 3C-SiC/Si(111) на начальной стадии роста. Предлагаются способы управления сменой механизма роста от островкового к послойному.

Ключевые слова: нитрид алюминия, нитрид галлия, карбид кремния на кремнии, метод HVPE, нуклеация, широкозонные полупроводники, гетероструктуры.

Поступила в редакцию: 22.09.2021
Исправленный вариант: 22.09.2021
Принята в печать: 26.09.2021

DOI: 10.21883/FTT.2022.01.51840.209

Реферативные базы данных:

•