Эта публикация цитируется в 1 статье

Полупроводники

Полупроводниковые свойства полимерных пленок на основе комплекса никеля с лигандом саленового типа

Ю. А. Положенцева^a, Е. В. Алексеева^b, М. П. Карушев<sup>a

a</sup> Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
^b Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Комплексы металлов с основаниями Шиффа рассматриваются как перспективные материалы для создания энергозапасающих и фотоэлектрических устройств. В данной работе спектрофотометрическим методом и методом спектроскопии фарадеевского импеданса были изучены полупроводниковые свойства полимерной пленки комплекса никеля с основанием Шиффа саленового типа (поли-Ni(CH$_3$O-Salen)). Анализ Мотта–Шоттки показал, что полимерная пленка представляет собой полупроводниковый материал с достаточно узкой шириной запрещенной зоны, высокой плотностью носителей заряда и $p$-типом проводимости. Методом спектроскопии фарадеевского импеданса установлена лимитирующая стадия реакции фотоэлектровосстановления кислорода – процесс переноса заряда с пленки на молекулярный кислород.

Ключевые слова: основания Шиффа, анализ Мотта–Шоттки, фотоэлектрические устройства, полупроводниковые свойства.

Поступила в редакцию: 12.07.2021
Исправленный вариант: 09.09.2021
Принята в печать: 09.09.2021

DOI: 10.21883/FTT.2022.01.51832.166

Реферативные базы данных:

•