Эта публикация цитируется в 1 статье

Полупроводники

Моделирование структурных и энергетических характеристик атомов в 2D-кристалле GaS с точечными дефектами

М. М. Асадов^a, С. Н. Мустафаева^b, С. С. Гусейнова^b, В. Ф. Лукичев^c, Д. Б. Тагиев<sup>a

a</sup> Институт катализа и неорганической химии им. М.Ф. Hагиева НАНА, Баку, Азербайджан
^b Институт физики НАН Азербайджана, Баку, Азербайджан
^c Физико-технологический институт им. К.А. Валиева РАН, Москва, Россия

Аннотация: В рамках теории функционала плотности (DFT) моделированы свойства гексагонального моносульфида галлия (GaS) с учетом влияния вакансий, связанных с ближнеупорядоченной структурой. Показано, что электронное облучение монослоя GaS приводит к уменьшению проводимости за счет образования точечных дефектов. Рассчитаны зонная структура, плотность состояний и энергетические свойства суперъячеек GaS с 36 и 48 атомами с моновакансиями. DFT-расчетами получены значения энергии образования GaS и вакансий атомов Ga и S, а также определена степень влияния вакансий на свойства. С учетом фазовой диаграммы Ga–S изучено влияние состава соединения GaS на величину химического потенциала.

Ключевые слова: моделирование, DFT-расчет, суперъячейки GaS, точечные дефекты, энергетическая структура, плотность состояний, энергия образования, химический потенциал.

Поступила в редакцию: 31.07.2021
Исправленный вариант: 05.09.2021
Принята в печать: 06.09.2021

DOI: 10.21883/FTT.2022.01.51830.182

Реферативные базы данных:

•