Системы низкой размерности

Особенности микроструктуры наноразмерных преципитатов AsSb в LT-GaAsSb

Л. А. Снигирев^a, А. В. Мясоедов^a, Н. А. Берт^a, В. В. Преображенский^b, М. А. Путято^b, Б. Р. Семягин^b, В. В. Чалдышев<sup>a

a</sup> Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
^b Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия

Аннотация: Методом просвечивающей электронной микроскопии исследовано структурное состояние преципитатов AsSb, формирующихся в результате отжига эпитаксиального слоя нестехиометрического GaAs$_{0.97}$Sb$_{0.03}$, выращенного методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложке GaAs (001) при температуре 150$^\circ$C. Обнаружены новые ориентационные соотношения между преципитатами AsSb с ромбоэдрической решеткой и матрицей LT-GaAsSb, подвергнутой изотермическому отжигу при температурах ниже 800$^\circ$С в течение 15 min: $\{\bar{1}012\}_p\parallel\{111\}_m$ и $\langle\bar{2}20\bar{1}\rangle\parallel\langle1\bar{1}0\rangle_m$. Эти ориентационные соотношения отличаются от известных для преципитатов As (0003)$_p$ $\parallel\{111\}_m$; $\langle\bar{1}2\bar{1}0\rangle_p\parallel\langle1\bar{1}0\rangle_m$ и реализуются для частиц размером менее $\sim$ 10 nm. Для частиц размером менее $\sim$ 7 nm результаты электронной микроскопии позволяют предположить переход к кубической фазе $Pm\bar{3}m$.

Ключевые слова: нестехиометрический GaAsSb, преципитация, просвечивающая электронная микроскопия, ориентационные соотношения.

Поступила в редакцию: 24.11.2023
Исправленный вариант: 24.11.2023
Принята в печать: 24.11.2023

DOI: 10.61011/FTT.2023.12.56859.263

Реферативные базы данных:

•