Аннотация:
Исследовано распространение спиновых волн (СВ) в структуре ферромагнетик/полупроводник. На поверхности ферромагнитной пленки железо-иттриевого граната (YIG) расположен массив параллельно расположенных полупроводниковых полосок из арсенида галия (GaAs). Методом численного моделирования проведено исследование свойств СВ, распространяющихся в намагниченной касательно структуре YIG/GaAs. Продемонстрирован эффект управляемой невзаимности спин-волнового сигнала, проявляющийся в изменении продольного волнового числа при вариации величины концентрации свободных носителей заряда в полосках GaAs. Исследовано влияние концентрации свободных носителей заряда в массиве полосок GaAs на свойства СВ, распространяющихся в ферритовой пленке, в случае, когда для поперечных волновых чисел выполняется условие брэгговского резонанса. Предложенная структура может найти применение для устройств обработки сигнала на принципах магноники.