Полупроводники

Примесные уровни электронов в 2D-структурах, сформированные магнитными краевыми состояниями

М. М. Махмудиан^ab, А. В. Чаплик<sup>ab

a</sup> Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия
^b Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия

Аннотация: Теоретически исследованы связанные состояния на примесном центре, возникающие в двумерном электронном газе в сильном поперечном магнитном поле с учетом влияния границ образца. В краевых состояниях сохраняется одна компонента импульса электрона, т. е. движение становится эффективно одномерным. На примере полосы конечной ширины получено уравнение, которое определяет энергию примесного состояния и является обобщением известного результата для мелкой потенциальной ямы в одномерной системе на случай произвольного закона дисперсии. Численно найдены энергии примесных уровней, относящихся к нулевой магнитной подзоне.

Ключевые слова: двумерный электронный газ, квантующее магнитное поле, краевые состояния, примесные уровни.

Поступила в редакцию: 26.09.2023
Исправленный вариант: 26.09.2023
Принята в печать: 01.11.2023

DOI: 10.61011/FTT.2023.12.56768.213

Реферативные базы данных:

•