Международная конференция ФизикА.СПб/2023

Разработка технологии плазмохимического осаждения фосфида бора при низкой температуре

А. А. Максимова^ab, А. В. Уваров^a, Е. А. Вячеславова^a, А. И. Баранов^a, А. С. Гудовских<sup>ab

a</sup> Санкт-Петербургский национальный исследовательский академический университет имени Ж. И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
^b Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Впервые было проведено осаждение фосфида бора на кремниевые подложки методом плазмохимического осаждения при низкой температуре (350$^\circ$C). В качестве прекурсоров были использованы: газовая смесь диборана (B$_2$H$_6$/H$_2$) и чистый фосфин (PH$_3$). Спектры комбинационного рассеяния исходных образцов показали уширенные пики при 450 cm$^{-1}$ и $\approx$700 cm$^{-1}$ соответствующие аморфному фосфиду бора. Быстрый термический отжиг образцов при температуре 700$^\circ$C оказал влияние на структуру слоев и привел к частичной кристаллизации, был детектирован пик кристаллического фосфида бора при 823 cm$^{-1}$.

Ключевые слова: фосфид бора, плазмохимическое осаждение, растровая электронная микроскопия, спектроскопия комбинационного рассеяния.

Поступила в редакцию: 19.05.2023
Исправленный вариант: 17.07.2023
Принята в печать: 30.10.2023

DOI: 10.61011/FTT.2023.12.56759.5207k

Реферативные базы данных:

•