Международная конференция ФизикА.СПб/2023

Формирование рассеивающего свет микрорельефа при атомно-слоевом осаждении диэлектрика на наноструктурированные пленки оксида индия-олова

В. В. Аксенова^a, И. П. Смирнова^a, Л. К. Марков^a, А. С. Павлюченко^a, Д. С. Колоколов^b, М. В. Меш<sup>b

a</sup> Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
^b АО "СКТБ Кольцова", Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Представлен метод создания рассеивающего свет рельефа на стадии формирования нижнего слоя диэлектрика при изготовлении электролюминесцентных дисплеев. Для исследования процесса формирования рассеивающего свет рельефа были изготовлены пленки с различными толщинами слоя Al$_2$O$_3$, получены РЭМ-изображения сколов сформированных пленок, а также измерены диаграммы направленности рассеяния света на них. Показано, что получаемый на границе диэлектрика рельеф создает рассеивающую свет структуру, способствующую повышению эффективности вывода света из активного слоя электролюминесцентного дисплея.

Ключевые слова: наноструктурированный ITO, рассеивающий свет микрорельеф, эффективность вывода света.

Поступила в редакцию: 12.05.2023
Исправленный вариант: 07.09.2023
Принята в печать: 30.10.2023

DOI: 10.61011/FTT.2023.12.56745.5093k

Реферативные базы данных:

•