Международная конференция ФизикА.СПб/2023

Магнитные и магнитооптические свойства тонких пленок гексаферрита BaM, выращенных на подложках Al$_2$O$_3$(0001) методом лазерной молекулярно-лучевой эпитаксии

Б. Б. Кричевцов^a, А. М. Коровин^a, А. А. Левин^a, А. Г. Бадалян^a, Н. С. Соколов^a, А. В. Телегин^b, И. Д. Лобов<sup>b

a</sup> Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
^b Институт физики металлов им. М.Н. Михеева УрО РАН, Екатеринбург, Россия

Аннотация: Приводятся результаты исследования структурных, магнитных и магнитооптических свойств тонких (толщиной $h$ = 50–500 nm) пленок гексаферрита BaM (BaFe$_{12}$O$_{19}$), выращенных на подложках сапфира $\alpha$-Al$_2$O$_3$ (0001) методом лазерной молекулярно-лучевой эпитаксии. Кристаллическая структура выращенных слоев изучалась рентгенодифракционными методами, а статические магнитные свойства с помощью вибрационного магнитометра. Получены спектральные зависимости полярного магнитооптического эффекта Керра (PMOKE), поперечного эффекта Керра (TKE) и магниторефрактивного эффекта (MRES).

Ключевые слова: гексаферриты, тонкие пленки, процессы намагничивания, лазерная молекулярно-лучевая эпитаксия.

Поступила в редакцию: 11.05.2023
Исправленный вариант: 22.08.2023
Принята в печать: 30.10.2023

DOI: 10.61011/FTT.2023.12.56731.4992k

Реферативные базы данных:

•