Аннотация:
С использованием модельной плотности состояний свободного однолистного графена показано, что сингулярности Ван Хова вызывают расходимости коэффициента Зеебека и фактора термоэлектрической мощности. Приведено обобщение полученных для свободного графена результатов на случай эпитаксиального (капсулированного) графена. Численные оценки приводятся для подложек (обкладок), представляющих собой политипы SiC.