Полупроводники

Экситонные состояния в узких квантовых ямах In$_x$Ga$_{1-x}$As/GaAs

Н. Р. Григорьева^a, А. В. Михайлов^b, Е. С. Храмцов^b, И. В. Игнатьев<sup>b

a</sup> Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
^b Лаборатория Оптики спина имени И.Н. Уральцева, Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Исследованы спектры отражения высококачественной гетероструктуры с узкой квантовой ямой In$_x$Ga$_{1-x}$As/GaAs ($x$ = 0.022). Выполнено микроскопическое моделирование экситонного спектра с помощью численного решения трехмерного уравнения Шредингера. Показано, что два экситонных резонанса, находящихся ниже энергии свободного экситона в GaAs, формируются экситоном с тяжелой дыркой, локализованном в квантовой яме. Профиль потенциала квантовой ямы определен в рамках теоретической модели с параметрами, рассчитанными из первых принципов. Для изученной структуры получено соотношение разрывов валентной зоны $(E_v)$ и зоны проводимости $(E_c)$: $E_c:E_v$ = 64:36.

Ключевые слова: экситоны, поляритоны, гетроструктуры, квантовая яма, микроскопический расчет.

Поступила в редакцию: 12.09.2023
Исправленный вариант: 12.09.2023
Принята в печать: 13.09.2023

DOI: 10.61011/FTT.2023.11.56543.201

Реферативные базы данных:

•