Полупроводники

Ab initio исследование термоэлектрических свойств йодидов CH$_3$NН$_3$PbI$_3$, CsSnI$_3$, CH$_3$NH$_3$SnI$_3$

В. П. Жуков^a, E. V. Chulkov<sup>b

a</sup> Институт химии твердого тела УрО РАН, г. Екатеринбург
^b HSE University, Москва, Россия

Аннотация: Выполнено теоретическое ab initio моделирование электронной зонной структуры и термоэлектрических свойств йодидов CH$_3$NН$_3$PbI$_3$, CsSnI$_3$ и CH$_3$NH$_3$SnI$_3$. Метод моделирования основан на теории функционала электронной плотности, теории электрон-фононного взаимодействия, теории Больцмана–Онзагера термоэлектрических свойств и метода Слэка расчета фононной теплопроводности. Для широкого диапазона концентраций носителей вычислены температурные зависимости проводимости, коэффициента Зеебека, коэффициента теплопроводности, функции мощности и термоэлектрической добротности. Полученные значения добротности указывает на возможность получения на основе подобных соединений термоэлектриков с более высокой эффективностью. Показано, что наиболее перспективным для использования в качестве термоэлектрического материала является соединение CsSnI$_3$.

Ключевые слова: электронная зонная структура, метод PAW, теория Больцмана, транспортные характеристики, галогениды свинца и олова, ион метиламмония.

Поступила в редакцию: 30.08.2023
Исправленный вариант: 30.08.2023
Принята в печать: 14.09.2023

DOI: 10.61011/FTT.2023.11.56542.191

Реферативные базы данных:

•