Полупроводники

Необычные дефекты в CVD-алмазе

C. Ю. Мартюшов^a, И. Л. Шульпина^b, А. А. Ломов^c, С. Н. Поляков<sup>a

a</sup> Технологический институт сверхтвердых и новых углеродных материалов, г. Троицк, Москва
^b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
^c Физико-технологический институт им. К.А. Валиева РАН, Москва, Россия

Аннотация: Методами проекционной и секционной рентгеновской топографии и двухкристальной рентгеновской дифрактометрии проведены исследования структурных дефектов алмаза, выращенного гомоэпитаксиально методом химического осаждения (CVD) на монокристаллической подложке из алмаза Ib, полученного методом температурного градиента (HPHT). Показано, что в CVD-алмазе нет дефектов HPHT-подложки, но присутствуют новые – дефекты упаковки необычного вида и структуры, которые сосуществуют с высокосовершенными областями кристалла, пригодными для изготовления элементов рентгеновской оптики. Впервые обнаружены макродефекты, ранее наблюдавшиеся только в бездислокационных монокристаллах кремния.

Ключевые слова: HPHT-алмаз, синтетический алмаз, структурные дефекты, дислокации, дефекты упаковки, дифракционная рентгеновская топография, секционная топография, двухкристальная рентгеновская дифрактометрия.

Поступила в редакцию: 17.07.2023
Исправленный вариант: 04.08.2023
Принята в печать: 05.08.2023

DOI: 10.61011/FTT.2023.11.56540.154

Реферативные базы данных:

•