Сегнетоэлектричество

Кристаллическая структура, наноструктура и диэлектрические характеристики пленок 0.91NaNbO$_3$–0.09SrZrO$_3$, выращенных на подложке (001)SrTiO$_3$(0.5% Nb)

Я. Ю. Матяш^a, Д. В. Стрюков^a, А. В. Павленко^ab, Н. В. Тер-Оганесян<sup>b

a</sup> ФИЦ Южный научный центр РАН, Ростов-на-Дону, Россия
^b НИИ физики Южного федерального университета, Ростов-на-Дону, Россия

Аннотация: Исследована структура, наноструктура и свойства тонкой пленки 0.91NaNbO$_3$–0.09SrZrO$_3$ толщиной $\sim$30 nm, выращенной методом ВЧ-катодного напыления в атмосфере кислорода на подложке (001)SrTiO$_3$(0.5%Nb). По данным рентгеновской дифракции установлено, что в пленке возникает значительное растяжение элементарной ячейки величиной 4.8% в перпендикулярном к подложке направлении. Показано, что наиболее вероятным механизмом роста пленки является механизм Франка-ван дер Мерве, при этом результаты исследований петель диэлектрического гистерезиса пленки в полях до 833 kV/cm и ее пьезоактивности методами атомно-силовой микроскопии свидетельствовали о наличии в ней сегнетоэлектрического отклика. Обсуждаются возможные причины выявленных особенностей.

Ключевые слова: антисегнетоэлектрик, NaNbO$_3$, SrZrO$_3$, атомно-силовая микроскопия, рентгеновская дифракция, диэлектрическая спектроскопия.

Поступила в редакцию: 14.06.2023
Исправленный вариант: 23.08.2023
Принята в печать: 25.08.2023

DOI: 10.61011/FTT.2023.10.56326.111

Реферативные базы данных:

•