Полупроводники

Особенности энергетической структуры эпитаксиального слоя InAsSbP при осаждении на поверхность твердого раствора InAs$_{1-y}$Sb$_y$

В. В. Романов, К. Д. Моисеев

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Узкозонные гетероструктуры InAs/InAsSbP/InAs$_{0.95}$Sb$_{0.05}$/InAsSbP с различной толщиной тройного твердого раствора были выращены методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений на подложках InAs. Спектры фотолюминесценции были получены в широком интервале температур $T$ = 4–300 K. Выявлено влияние тройного твердого раствора InAsSb на состав и люминесцентные свойства верхнего наращиваемого эпитаксиального слоя InAs$_{1-x-y}$Sb$_y$P$_x$. Было показано, что соотношение между концентрациями твердой фазы узкозонных и широкозонных бинарных соединений, формирующих четверной твердый раствор, влияет на величину эффективной энергии залегания для центров локализации носителей заряда в запрещенной зоне четверного твердого раствора.

Ключевые слова: фотолюминесценция, антимониды, арсениды, излучательные переходы.

Поступила в редакцию: 13.06.2023
Исправленный вариант: 14.08.2023
Принята в печать: 13.09.2023

DOI: 10.61011/FTT.2023.10.56317.116

Реферативные базы данных:

•