Аннотация:
Кварцевое стекло с высоким содержанием групп OH, синтезированное высокотемпературным гидролизом SiCl$_4$, было подвергнуто тонкому отжигу. Сочетанием методов фотолюминесценции и ИК-спектроскопии отслеживалась эволюция ансамбля точечных и структурных дефектов в процессе отжига при температуре 480$^\circ$C. В объеме образцов наблюдалось заметное снижение концентрации дефектов силикатной сетки при экспозициях 24 и 72 h.
На поверхности образцов после термического воздействия отмечено уменьшение концентрации силанольных групп Si–OH, возникших в примененном процессе синтеза. Гибель этих групп приводит к консолидации силикатной сетки, что отразилось в образовании поверхностного уплотненного слоя с повышенной микротвердостью.