Аннотация:
При исследовании частотной зависимости компонент комплексной диэлектрической проницаемости тонких (100 nm) нанокристалических пленок йодида серебра (AgI) установлено наличие двух различных типов релаксационных процессов, резко отличающиеся своими временами релаксации: $\tau_1\ll\tau_2$. Установлено что малое время релаксации $\tau_1$ представляет собой время формирования устойчивой конфигурации внутреннего электрического поля при экранировке внешнего высокочастотного синусоидального электрического поля системой свободных электронов проводимости. Напротив, большое время релаксации $\tau_2$ характеризут процесс экранировки низкочастотного внешнего поля системой квазисвободных ионов серебра. Показано, что температурная зависимость численного значения $\tau_1(T)$ обладает термическим гистерезисом с петлей, положение нагревательной и охладительной ветвей которой совпадает с температурной областью совершения в пленке AgI прямого и обратного фазовых переходов: полупроводник-суперионик и суперионик-полупровдник. Приведены результаты расчета параметров диэлектрических спектров в рамках теории Дебая, демонстрирующих хорошее согласие с рассчитанными методом комплексного импеданса параметрами предложенной электрической схемы пленочного образца.
Ключевые слова:
диэлектрические измерения, суперионики, йодид серебра, фазовый переход полупроводник-суперионик.
Поступила в редакцию: 13.06.2023 Исправленный вариант: 13.06.2023 Принята в печать: 27.06.2023
Полный текст:
PDF файл (1341 kB)