XXVII Международный симпозиум ''Нанофизика и наноэлектроника'', Н. Новгород, 13-16 марта 2023 г.
Сверхпроводимость

Влияние ионного облучения на свойства тонких сверхпроводящих пленок NbN

Б. А. Гурович, К. Е. Приходько, Л. В. Кутузов, Б. В. Гончаров, Д. А. Комаров, Е. М. Малиева, Г. Ю. Голубев


Аннотация: Показано, что смешанное ионное облучение тонкой пленки NbN до флюенса 8.5 $\cdot$ 10$^{16}$ cm$^{-2}$, меньшего, чем оптимальный (10 $\cdot$ 10$^{16}$ cm$^{-2}$), может быть использовано при создании криогенных интегрированных сопротивлений в том случае, если значения рабочих токов устройства больше, чем все характерные токи переходов для облученных и стабилизированных отжигом пленок. При этом реализуются меньшие значения сопротивления на квадрат, что позволяет создавать меньшие значения номиналов интегрированных сопротивлений. Продемонстрировано, что отжиг облученной пленки при температуре 600$^\circ$C приводит к частичному возврату сверхпроводящих свойств и сопровождается появлением двух сверхпроводящих переходов при плотностях критического тока 0.45 $\cdot$ 10$^6$ A/cm$^2$ и 1 $\cdot$ 10$^6$ A/cm$^2$, что необходимо учитывать при необходимости применения стабилизирующего отжига при повышенной температуре.

Ключевые слова: тонкие сверхпроводящие пленки NbN, ионное облучение, критические токи сверхпроводящих пленок, влияние облучения на сверхпроводящие свойства пленок NbN.

Поступила в редакцию: 17.04.2023
Исправленный вариант: 17.04.2023
Принята в печать: 11.05.2023

DOI: 10.21883/FTT.2023.07.55831.24H

Реферативные базы данных:

•