Аннотация:
В рамках первопринципного подхода проведен расчет температурной зависимости теплопроводности $\kappa(T)$ кристалла гексагонального карбида кремния политипа 2$H$-SiC для ориентации теплового потока в базисной плоскости и вдоль гексагональной оси $c$ в диапазоне температур от 100 до 500 K. Рассмотрено влияние изотопического беспорядка по кремнию и углероду на теплопроводность. Найдено, что при температуре 300 K теплопроводность изотопически чистого 2$H$-SiC, содержащего 100% $^{28}$Si и 100% $^{12}$C, больше, чем кристаллов с природной композицией изотопов кремния и углерода, на 15.2% и 12.4% для направлений вдоль и поперек базисной плоскости соответственно. Для кристаллов с природной смесью изотопов углерода $^{\text{nat}}$C изотопический эффект по кремнию составляет 14.5% и 11.9% для этих направлений.
Полный текст:
PDF файл (193 kB)