Сегнетоэлектричество

Влияние материала верхнего электрода на электрофизические свойства МДМ-структур на основе сегнетоэлектрических пленок

М. С. Афанасьев, Д. А. Белорусов, Д. А. Киселев, Г. В. Чучева

Фрязинский филиал Института радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова РАН, Фрязино, Московск. обл., Россия

Аннотация: Сегнетоэлектрические пленки состава Ba$_{0.8}$Sr$_{0.2}$TiO$_3$ (BST) синтезированы на платинированные кремниевые подложки методом ВЧ-распыления. На выращенные пленки методом электронно-лучевого распыления сформированы верхние электроды из никеля, алюминия, меди и хрома. Представлены результаты исследований электрофизических свойств полученных гетероструктур металл-диэлектрик-металл (МДМ) (Ме-BST-Pt-Si).

Ключевые слова: сегнетоэлектрические пленки BST, структуры металл-диэлектрик-металл (МДМ), микроструктура, электрофизические свойства.

Поступила в редакцию: 28.04.2023
Исправленный вариант: 28.04.2023
Принята в печать: 04.05.2023

DOI: 10.21883/FTT.2023.06.55666.73

Реферативные базы данных:

•