Аннотация:
В рамках ab initio моделирования созданы модельные структуры SiO$_x$N$_y$ в широком диапазоне составов, ближний порядок в которых соответствует модели неупорядоченной случайной сетки. Построены энергетические диаграммы SiO$_x$N$_y$: зависимость от $x$ и $y$ положения потолка валентной зоны и дна зоны проводимости относительно уровня вакуума. Изучена электронная структура собственных дефектов в SiO$_x$N$_y$, участвующих в транспорте заряда. Установлено, что Si–Si связи SiO$_x$N$_y$ являются дефектами, способными давать мелкие ловушки с энергией порядка 10–100 meV.
Полный текст:
PDF файл (372 kB)