Аннотация:
Представлены результаты исследования кристаллической структуры интерфейсного слоя и морфологии поверхности, формирующихся в ходе роста тонкой пленки Mn$_5$Ge$_3$ на кремнии. Методом дифракции отраженных быстрых электронов была исследована динамика изменения фазового состава пленки на начальных этапах роста Mn$_5$Ge$_3$ на Si(111) 7 $\times$ 7 при 390$^\circ$C. Анализ дифракционных данных осуществлялся совмещением экспериментальных картин и расчетных электронограмм для предполагаемых фаз, с учетом данных из равновесных фазовых диаграмм. Установлено, что при напылении 0.5 nm преобладает формирование силицида MnSi, а уже при толщине пленки 2.5 nm начинает формироваться Mn$_5$Ge$_3$ совместно с MnSi. Монофазная пленка Mn$_5$Ge$_3$ начинает расти только при толщине более 10 nm. С помощью атомно-силовой микроскопии показано, что при поддержании стехиометрического соотношения потоков Mn и Ge при дальнейшем росте на кремниевой подложке без буферного слоя реализуется послойный плюс островковый режим роста Странского–Крастанова.
Полный текст:
PDF файл (662 kB)