XVI Российская конференция по физике полупроводников, 7-11 октября 2024 г., Санкт-Петербург
Оптические свойства, фотоника

Брэгговский резонанс в системе слоев плазмонных наночастиц Bi в матрице GaAs

Е. Д. Поленок^ab, Н. А. Берт^b, А. А. Иванов^b, В. В. Преображенский^c, М. А. Путято^c, Б. Р. Семягин^c, Л. А. Снигирев^b, В. И. Ушанов^b, М. А. Яговкина^b, В. В. Чалдышев<sup>b

a</sup> Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
^b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
^c Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия

Аннотация: Экспериментально исследованы оптические свойства структуры, представляющей собой периодическую систему квазидвумерных слоев плазмонных наночастиц висмута, встроенную в кристаллическую матрицу арсенида галлия. С помощью методов просвечивающей электронной микроскопии и рентгеновской дифракции экспериментально изучено пространственное распределение наночастиц висмута, определены их характерные размеры и концентрация. Методом матриц переноса проведено моделирование оптических спектров отражения. Геометрические параметры модели определялись на основе данных структурных исследований. Оптический отклик отдельных наночастиц висмута рассчитывался по теории Ми. Построенная модель позволила количественно описать все существенные особенности экспериментальных спектров оптического отражения.

Ключевые слова: нестехиометрический GaAs, нановключения Bi, локализованный поверхностный плазмонный резонанс, брэгговская дифракция, оптическое отражение.

Поступила в редакцию: 10.10.2024
Исправленный вариант: 17.11.2024
Принята в печать: 18.11.2024

DOI: 10.61011/FTT.2025.01.59766.3-25

Реферативные базы данных:

•