XVI Российская конференция по физике полупроводников, 7-11 октября 2024 г., Санкт-Петербург
Полупроводники

Перенос возбуждения через широкий барьер в системе квантовых ям GaAs/AlGaAs различной ширины

Н. Г. Философов^a, В. Ф. Агекян^a, С. Ю. Вербин^a, А. Н. Резницкий^b, А. Ю. Серов^a, И. В. Штром^acd, И. В. Илькив^cd, Р. Р. Резник^a, Г. Э. Цырлин<sup>acd

a</sup> Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
^b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
^c Институт аналитического приборостроения РАН, Санкт-Петербург, Россия
^d Санкт-Петербургский национальный исследовательский академический университет имени Ж. И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Исследована температурная зависимость люминесценции гетероструктуры, которая содержит три квантовые ямы (КЯ) GaAs толщиной 9.6, 4.8, и 2.4 nm, отделенные друг от друга барьерами Ga$_{0.6}$Al$_{0.4}$As толщиной 14 nm. Установлено, что при температурах выше 140 K имеет место перенос возбуждения из КЯ толщиной 2.4 nm в КЯ толщиной 4.8 nm. На основе модели, примененной ранее для описания переноса возбуждения в гетероструктурах типа II–VI, получены параметры, удовлетворительно описывающие наблюдаемый взаимодействие между этими КЯ, высказаны соображения относительно возможных механизмов переноса.

Ключевые слова: квантовые ямы III – V, люминесценция, перенос энергии.

Поступила в редакцию: 11.10.2024
Исправленный вариант: 28.11.2024
Принята в печать: 03.12.2024

DOI: 10.61011/FTT.2025.01.59764.5-25

Реферативные базы данных:

•