XVI Российская конференция по физике полупроводников, 7-11 октября 2024 г., Санкт-Петербург
Полупроводники

Термический отжиг HgCdTe с большим содержанием CdTe: структурные и оптические исследования

М. С. Ружевич^a, К. Д. Мынбаев^b, Н. Л. Баженов^b, М. В. Дорогов^a, А. М. Смирнов^a, В. В. Бельков^b, М. В. Томкович^b, В. С. Варавин^c, В. Г. Ремесник^c, И. Н. Ужаков^c, Н. Н. Михайлов<sup>c

a</sup> Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики
^b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
^c Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск

Аннотация: Приведены результаты изучения структурных и оптических свойств пленок Hg$_{1-x}$Cd$_x$Te с большим ($x$ = 0.5–0.7) содержанием CdTe, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии и подвергнутых термическому отжигу при температурах от 330 до 440$^\circ$C. Влияние отжига на кристаллическую структуру и точечные дефекты определено по данным исследований оптического пропускания, фотолюминесценции, рентгеновской дифракции и энергодисперсионной рентгеновской спектроскопии. Показано, что дефектная структура материала после отжига претерпевает существенные изменения, в то время как его кристаллическое совершенство меняется незначительно.

Ключевые слова: HgCdTe, отжиг, фотолюминесценция, дефекты, структурные свойства.

Поступила в редакцию: 10.10.2024
Исправленный вариант: 17.11.2024
Принята в печать: 18.11.2024

DOI: 10.61011/FTT.2025.01.59763.4-25

Реферативные базы данных:

•