Аннотация:
Методом парамагнитного резонанса проведено исследование специально выращенных кристаллов Sc$_2$SiO$_5$ : Gd и Sc$_2$SiO$_5$ : Fe. Установлено, что ионы Fe$^{3+}$ замещают Sc$^{3+}$ в обеих кристаллографических позициях, тогда как ионы Gd$^{3+}$ демонстрируют один центр, локализованный в более просторной позиции с координационным числом 7. Измерение ориентационного поведения положений переходов центров Fe$^{3+}$ и Gd$^{3+}$ в двух ортогональных плоскостях позволило определить параметры их триклинных спиновых гамильтонианов. Ориентация главных осей $Z$ тензоров тонкой структуры второго ранга используется для определения локализации примесных ионов Cr$^{3+}$, Fe$^{3+}$ и Gd$^{3+}$ в силикатах скандия и иттрия.
Ключевые слова:
силикаты скандия и иттрия, примесные ионы, парамагнитный резонанс.
Поступила в редакцию: 27.03.2023 Исправленный вариант: 27.03.2023 Принята в печать: 28.03.2023