Диэлектрики

Раннее образование поверхностных состояний в МОП-структурах при ионизирующем облучении

О. В. Александров

Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Разработана количественная модель раннего образования поверхностных состояний (ПС) в МОП-структурах при ионизирующем облучении (ИО) с лимитирующей стадией – дисперсионным переносом дырок. Согласно модели основной вклад в раннее образование ПС происходит во время микросекундного импульса ИО для тонкого подзатворного диэлектрика и после окончания импульса для толстого полевого оксида. Рост плотности ранних ПС после окончания ИО связан с наличием локализованных состояний и дисперсионным переносом дырок. Позднее образование ПС лимитируется дисперсионным транспортом ионов водорода, что затягивает процесс образования поздних ПС от $\sim$0.1 c до 10$^4$ и более секунд.

Ключевые слова: МОП-структура, ионизирующее облучение, поверхностные состояния, дисперсионный транспорт.

Поступила в редакцию: 22.02.2023
Исправленный вариант: 22.02.2023
Принята в печать: 01.03.2023

DOI: 10.21883/FTT.2023.05.55492.22

Реферативные базы данных:

•