Физика поверхности, тонкие пленки

Обратимый фазовый переход $c$ (4 $\times$ 4) $\leftrightarrow$ (1 $\times$ 2) на поверхности Ba/Ge(100), управляемый адсорбцией и десорбцией кислорода

М. В. Кузьмин, С. В. Сорокина

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Модифицированные поверхности (100) полупроводников IV группы успешно используются в качестве подложек для выращивания пленок кристаллических оксидов, в частности, BaO. В этой связи важно понимать механизмы формирования и физико-химические свойства поверхностных атомных структур, образующихся на указанных подложках. В настоящей работе с помощью комплекса современных экспериментальных методов исследован обратимый фазовый переход $c$ (4 $\times$ 4) $\leftrightarrow$ (1 $\times$ 2) на поверхности Ba/Ge(100), обусловленный присутствием на ней атомов кислорода. Получены сведения о структурных и электронных свойствах указанных поверхностных реконструкций, а также предложены их атомные модели. Приведенные результаты важны, в частности, с точки зрения интеграции германия в используемые в настоящее время кремниевые технологии.

Ключевые слова: поверхность, германий, адсорбированный слой, барий, кислород, фазовый переход, атомная структура, сканирующая туннельная микроскопия, фотоэлектронная спектроскопия с применением синхротронного излучения.

Поступила в редакцию: 31.01.2023
Исправленный вариант: 31.01.2023
Принята в печать: 01.02.2023

DOI: 10.21883/FTT.2023.04.55308.14

Реферативные базы данных:

•